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1060 nm单管半导体激光器

1060nm激光器单管技术指标(25℃) 型号700mW工作模式CW输出功率(W)700mW中心波长(nm)1062波长公差(nm)5.0典型谱宽(nm)1.6典型工作电流(A)1.0典型工作电压(V)1.5典型阈值电流(A)0.23典型斜率效率(W/A)0.9典型串联电阻(Ω)0.18典型光电转换功率(%)45%

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980 nm单管半导体激光器

980nm激光器单管技术指标(25℃) 工作模式CWCWCW输出功率(W)500mW2W4W条宽、腔长(um)100*1000100*2000100*2000中心波长(nm)975975972波长公差(nm)555典型谱宽(nm)2.22.52.5典型工作电流(A)0.732.04.0典型工作电压(V)1.402.02.0典型阈值电流(A)0.180.200.25典型斜率效率(W/A)0.91.0

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940 nm单管半导体激光器

940nm激光器单管技术指标(25℃) 型号4W工作模式CW输出功率(W)4W发光点宽度(um)100*2000中心波长(nm)940波长公差(nm)10典型谱宽(nm)2典型工作电流(A)4.1典型工作电压(V)2.0典型阈值电流(A)0.3典型斜率效率(W/A)1.05典型串联电阻(Ω)0.18典型光电转换功率(%)50 940nm 4W激光器测试曲线

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880nm单管半导体激光器

880nm 2W激光器单管技术指标(25℃) 型号2W工作模式CW输出功率(W)2W发光点宽度(um)100*2000中心波长(nm)880波长公差(nm)10典型谱宽(nm)2典型工作电流(A)2.2典型工作电压(V)1.85典型阈值电流(A)0.37典型斜率效率(W/A)1.05典型串联电阻(Ω)0.2典型光电转换功率(%)50 2W测试图

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808 nm双管半导体激光器

808nm双管半导体激光器技术指标(23℃) 型号2emitters-4W 2emitters-4W工作模式CW CW输出功率(W)4W 4W条宽、腔长(um)200*1000 100*1000发光中心间隔(um)400 500中心波长(nm)805 805波长公差(nm)±5 ±5典型谱宽(nm)1.8 1.8典型工作电流(A)4.1±0.2 3.8±0.2典型工作电压(V)2.1±0.2 2.

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808nm单管半导体激光器

808nm单管半导体激光器技术指标(25℃) 型号500mW1W2W3W4W5W4W工作模式 CWCWCWCWCWCW输出功率(W) 1W2W3W4W5W4W条宽、腔长(um) 100*1000100*1500200*1000100*2000200*1500100*2000中心波长(nm) 808808808808808808波长公差(nm) 101010101010典型谱宽(nm) 1.81.8

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790 nm单管半导体激光器

793nm激光器单管技术指标(25℃) 工作模式CW输出功率(W)5W条宽、腔长(um)200*1500中心波长(nm)793波长公差(nm)10典型谱宽(nm)1.8典型工作电流(A)4.7典型工作电压(V)2.3典型阈值电流(A)0.8典型斜率效率(W/A)1.32典型串联电阻(Ω)0.2典型光电转换功率(%)45典型快轴发散角(FWHM)37°典型慢轴发散角(FWHM)7°发光偏振模式TM封

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660 nm单管半导体激光器

660nm激光器单管技术指标(25℃) 型号300mW工作模式CW输出功率(W)300mW发光点宽度(um)100*1中心波长(nm)660波长公差(nm)5.0典型谱宽(nm)1.6典型工作电流(A)1.0典型工作电压(V)2.0典型阈值电流(A)0.67典型斜率效率(W/A)1.0典型串联电阻(Ω)0.24典型光电转换功率(%)17 660nm 300mW激光器测试曲线

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