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808nm单管半导体激光器

808nm单管半导体激光器技术指标(25℃) 型号500mW1W2W3W4W5W4W工作模式 CWCWCWCWCWCW输出功率(W) 1W2W3W4W5W4W条宽、腔长(um) 100*1000100*1500200*1000100*2000200*1500100*2000中心波长(nm) 808808808808808808波长公差(nm) 101010101010典型谱宽(nm) 1.81.8

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产品参数

808nm单管半导体激光器技术指标(25

 

型号

500mW

1W

2W

3W

4W

5W

4W

工作模式

 

CW

CW

CW

CW

CW

CW

输出功率(W

 

1W

2W

3W

4W

5W

4W

条宽、腔长(um

 

100*1000

100*1500

200*1000

100*2000

200*1500

100*2000

中心波长(nm

 

808

808

808

808

808

808

波长公差(nm

 

10

10

10

10

10

10

典型谱宽(nm

 

1.8

1.8

1.8

1.8

1.8

2

典型工作电流(A

 

1.1

2

2.7

3.7

4.7

4.5

典型工作电压(V

 

1.8

2

2.1

2.3

2.3

2.3

典型阈值电流(A

 

0.25

0.42

0.41

0.42

0.8

0.85

典型斜率效率(W/A

 

1.25

1.25

1.35

1.25

1.32

1.25

典型串联电阻(Ω)

 

0.2

0.2

0.2

0.2

0.2

0.2

典型光电转换功率(%

 

55

52

55

50

45

45

典型快轴发散角(FWHM

 

42°

42°

34°

30°

37°

40°

典型慢轴发散角(FWHM

 

7°

6°

8°

7°

7°

7°

发光偏振模式

 

TE

TE

TE

TE

TM

TE

封装形式

 

TO3/C-mount

TO3/C-mount

TO3/C-mount

TO3/C-mount

TO3/C-mount

TO3/C-mount

 

808nm激光器不同功率测试曲线:

500mW测试曲线

1W测试曲线

2W测试曲线

3W测试曲线

 
4W测试曲线
 
5W测试曲线

 

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