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808 nm双管半导体激光器

808nm双管半导体激光器技术指标(23℃) 型号2emitters-4W 2emitters-4W工作模式CW CW输出功率(W)4W 4W条宽、腔长(um)200*1000 100*1000发光中心间隔(um)400 500中心波长(nm)805 805波长公差(nm)±5 ±5典型谱宽(nm)1.8 1.8典型工作电流(A)4.1±0.2 3.8±0.2典型工作电压(V)2.1±0.2 2.

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产品参数

808 nm双管半导体激光器技术指标(23℃)

 

型号

2emitters-4W

 

2emitters-4W

工作模式

CW

 

CW

输出功率(W

4W

 

4W

条宽、腔长(um

200*1000

 

100*1000

发光中心间隔(um

400

 

500

中心波长(nm

805

 

805

波长公差(nm

±5

 

±5

典型谱宽(nm

1.8

 

1.8

典型工作电流(A

4.1±0.2

 

3.8±0.2

典型工作电压(V

2.1±0.2

 

2.1±0.2

典型阈值电流(A

1.0±0.2

 

0.8±0.2

典型斜率效率(W/A

1.32±0.05

 

1.34±0.05

典型串联电阻(Ω)

0.12±0.02

 

0.12±0.02

典型光电转换功率(%

50

 

53

典型快轴发散角(FWHM

32°

 

38°

典型慢轴发散角(FWHM

8°

 

7°

发光偏振模式

 

 

 

封装形式

TO3/C-mount

 

TO3/C-mount

 

 

 

 

 

4W测试图

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