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808 nm双管半导体激光器
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产品参数
808 nm双管半导体激光器技术指标(23℃)
型号 |
2emitters-4W |
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2emitters-4W |
工作模式 |
CW |
|
CW |
输出功率(W) |
4W |
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4W |
条宽、腔长(um) |
200*1000 |
|
100*1000 |
发光中心间隔(um) |
400 |
|
500 |
中心波长(nm) |
805 |
|
805 |
波长公差(nm) |
±5 |
|
±5 |
典型谱宽(nm) |
1.8 |
|
1.8 |
典型工作电流(A) |
4.1±0.2 |
|
3.8±0.2 |
典型工作电压(V) |
2.1±0.2 |
|
2.1±0.2 |
典型阈值电流(A) |
1.0±0.2 |
|
0.8±0.2 |
典型斜率效率(W/A) |
1.32±0.05 |
|
1.34±0.05 |
典型串联电阻(Ω) |
0.12±0.02 |
|
0.12±0.02 |
典型光电转换功率(%) |
50 |
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53 |
典型快轴发散角(FWHM) |
32° |
|
38° |
典型慢轴发散角(FWHM) |
8° |
|
7° |
发光偏振模式 |
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封装形式 |
TO3/C-mount |
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TO3/C-mount |
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4W测试图
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